Menjelaskan tentang Metode Akses Memory, Sifat-sifat Memory, dan RAM & ROM

Metode Akses Memori

Terdapat empat jenis pengaksesan satuan data, sbb.:

-         Sequential Access

-         Direct Access

-         Random Access

-         Associative Access

Sequential Access

-         Memori diorganisasikan menjadi unit-unit data, yang disebut record.

-         Akses dibuat dalam bentuk urutan linier yang spesifik.

-         Informasi pengalamatan dipakai untuk memisahkan record-record dan untuk membantu proses pencarian.

-         Mekanisme baca/tulis digunakan secara bersama (shared read/write mechanism), dengan cara berjalan menuju lokasi yang diinginkan untuk mengeluarkan record.

-          Waktu access record sangat bervariasi.

-         Contoh sequential access adalah akses pada pita magnetik.

Direct Access

-         Seperti sequential access, direct access juga menggunaka shared read/write mechanism, tetapi setiap blok dan record memiliki alamat yang unik berdasarkan lokasi fisik.

-         Akses dilakukan secara langsung terhadap kisaran umum (general vicinity) untuk mencapai lokasi akhir.

-         Waktu aksesnya bervariasi.

-         Contoh direct access adalah akses pada disk.

Random Access

-         Setiap lokasi dapat dipilih secara random dan diakses serta dialamati secara langsung.

-         Waktu untuk mengakses lokasi tertentu tidak tergantung pada urutan akses sebelumnya dan bersifat konstan.

-         Contoh random access adalah sistem memori utama.

Associative Access

-         Setiap word dapat dicari berdasarkan pada isinya dan bukan berdasarkan alamatnya.

-         Seperti pada RAM, setiap lokasi memiliki mekanisme pengalamatannya sendiri.

-         Waktu pencariannya tidak bergantung secara konstan terhadap lokasi atau pola access sebelumnya.

-         Contoh associative access adalah memori cache.

 SIFAT-SIFAT MEMORY

Elemen dasar memori adalah sel memori. Walaupun digunakan sejumlah teknologi elektronik, seluruh sel memori memiliki sifat–sifat tertentu :

-         Sel memori memiliki dua keadaan stabil (atau semi-stabil), yang dapat digunakan untuk merepresentasikan bilangan biner 1 atau 0

-          Sel memori mempunyai kemampuan untuk ditulisi (sedikitnya satu kali)

-          Sel memori mempunyai kemampuan untuk dibaca

Memory tetap adalah sifat dari tempat penyimpanan data yang tidak akan hilang meskipun daya listrik diputus. Sedangkan memori sementara adalah sifat dari tempat penyimpanan data yang akan hilang juka daya listrik diputus.

RAM & ROM  

1.    RAM : RAM statik (SRAM) dan RAM dinamik (DRAM).

2.    ROM : ROM, Programmable ROM (PROM), Erasable PROM (EPROM), Electrically EPROM (EEPROM), Flash Memory.

Random Access Memory (RAM)

-         Baca dan tulis data dari dan ke memori dapat dilakukan dengan mudah dan cepat.

-         Bersifat volatile

-         Perlu catu daya listrik.

RAM Dinamik (DRAM)

Disusun oleh sel-sel yang menyimpan data sebagai muatan listrik pada kapasitor.

Ada dan tidak ada muatan listrik pada kapasitor dinyatakan sebagai bilangan biner 1 dan 0.

Perlu pengisian muatan listrik secara periodik untuk memelihara penyimapanan data.

RAM Statik (SRAM)

Disusun oleh deretan flip-flop.

Baik SRAM maupun DRAM adalah volatile. Sel memori DRAM lebih sederhana dibanding SRAM, karena itu lebih kecil. DRAM lebih rapat (sel lebih kecil = lebih banyak sel per satuan luas) dan lebih murah. DRAM memrlukan rangkaian pengosong muatan. DRAM cenderung lebih baik bila digunakan untuk kebutuhan memori yang lebih besar. DRAM lebih lambat.

Read Only Memory (ROM)

-         Menyimpan data secara permanen

-         Hanya bisa dibaca

Dua masalah ROM

-         angkah penyisipan data memerlukan biaya tetap yang tinggi.

-         Tidak boleh terjadi kesalahan (error).

Programmabel ROM (PROM)

Bersifat non volatile dan hanya bisa ditulisi sekali saja.

Proses penulisan dibentuk secara elektris.

Diperlukan peralatan khusus untuk proses penulisan atau “pemrograman”.

Erasable PROM (EPROM)

Dibaca secara optis dan ditulisi secara elektris.

Sebelum operasi write, seluruh sel penyimpanan harus dihapus menggunakan radiasi sinar ultra-violet terhadap keping paket.

Proses penghapusan dapat dilakukan secara berulang, setiap penghapusan memerlukan waktu 20 menit.

Untuk daya tampung data yang sama EPROM lebih mahal dari PROM.

Electrically EPROM (EEPROM)

Dapat ditulisi kapan saja tanpa menghapus isi sebelumnya.

Operasi write memerlukan watu lebih lama dibanding operasi read.

Gabungan sifat kelebihan non-volatilitas dan fleksibilitas untuk update dengan menggunakan bus control, alamat dan saluran data.

EEPROM lebih mahal dibanding EPROM.

Sel memori memiliki sifat tertentu sbb.:

-         Memiliki dua keadaan stabil untuk representasi bilangan biner 1 atau 0.

-         Memiliki kemampuan untuk ditulisi

-         emiliki kemampuan untuk dibaca.

Nama        : Johnson Yunior

Npm          : 23412961
Kelas         : 2 IC 01

Sumber :

http://cumicumihachi.blogspot.com/2012_06_01_archive.html

http://internet.artikel2.com/memori.htm 

http://suwidi.or.id/downloads/kuliah/Arkom/google